供应ISL2111ABZ原装现货ISL2111ABZ

该ISL2110，ISL2111是100V，频率高，半bridgeN沟道功率MOSFET驱动器IC。

它们是基于onthe流行HIP2100，HIP2101半桥驱动器，但offerseveral性能改进。

峰值输出上拉/下拉电流已经提高到3A / 4A，whichsignificantly降低了开关功率损耗和eliminatesthe需要外部图腾柱缓冲器manyapplications。此外，VDDoperational supplyrange低端一直延伸到8VDC。

该ISL2110 hasadditional输入滞后的优越操作noisyenvironments和ISL2111的输入，像那些theISL2110的，现在可以安全地摆动到VDDsupply rail.Features•驱动N沟道MOSFET半桥•SOIC和DFN封装•SOIC和DFN封装符合根据IPC-2221•无铅加退火有（符合RoHS）100V ConductorSpacing原则•自举电源最大电压为114VDC•片上1Ω自举二极管•快速传播时间的多MHz的电路•驱动1nF的负载与9ns典型上升/下降时间/ 7.5ns•CMOS兼容输入阈值（ISL2110）•3.3V / TTL兼容输入阈值（ISL2111）•独立的输入提供FlexibilityOrdering InformationPARTNUMBERPARTTEMP。

（注1，2）标记范围（℃）ISL2110ABZ2110ABZ- 40至125-40到125-40到125-40，以125PACKAGE（无铅）8 LD SOICPKG.DWG。

 ＃M8.15•没有启动问题•输出不受电源故障，HS振铃地下或HS回转在高dv / dt•低功耗•宽电源电压范围（8V至14V）•欠压保护•1.6Ω/ 1Ω典型输出上拉/下拉ResistanceISL2110AR4Z 2110AR4ZISL2111ABZ2111ABZ12 LD的4x4 DFN L12.4x4A8 LD SOICM8.15ISL2111AR4Z 2111AR4ZNOTES：12 LD的4x4 DFN L12.4x4A1。

 Intersil无铅加退火产品采用特殊的Pb-freematerial套;模塑料/晶片的附属，以满足材料和100％雾锡板终止完成，这是符合RoHS标准andcompatible既锡铅和无铅焊接operations.Intersil无铅产品分类MSL在无铅peakreflow温度或超过铅IPC / JEDEC J STD-020.2的-freerequirements。

添加“-T”后缀磁带和卷轴包装option.Applications•电信半桥DC / DC转换器•电信全桥DC / DC转换器•双开关正激转换器•有源钳位正激转换器•D类音频放大器