供应H5MS2562NFR-E3M供应原装H5MS2562NFR-E3M规格书H5MS2562NFR-E3M数据

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特色汇总 
●移动DDR SDRAM 
  - 双数据速率架构:每两个数据传输 
时钟周期 
●移动DDR SDRAM接口 
  - x16总线宽度 
  - 复用的地址(行地址和列地址) 
●电源电压 
  - 1.8V设备:VDD和VDDQ=1.7V到1.95V 
●记忆电池阵列 
  - 的256Mbit(x16设备)=大4M x4Bank×16的I / O 
●数据选通 
  - x16设备:LDQS和UDQS 
  - 双向,数据选通(DQS)传输和处理数据,以用于接收在捕获数据 
接收器 
  - 数据和数据掩膜引用的DQS两个边缘 
●低功耗特性 
  - PASR(部分阵列自刷新) 
  - 自动TCSR(温度补偿自刷新) 
  - DS(驱动力) 
  - DPD(深度掉电):DPD是一项可选功能, 
 所以请联系海力士办公室的DPD功能 
●输入时钟 
  - 差分时钟输入(CK,CK) 
●数据屏蔽 
  - LDM和UDM:输入屏蔽信号的写入数据 
  - 糖尿病口罩写数据输入在上升沿和 
 数据选通脉冲的下降沿 
●模式RERISTER设置,扩展模式寄存器设置和状态寄存器读 
  - 保持在JEDEC的标准规定 
 (低功耗DDR SDRAM) 
●CAS延迟 
  - 可编程CAS延时2或3支持 
●突发长度 
  - 可编程突发长度2/4/8既连续的和交织模式 
●自动预充电 
  - 选项为每个突发访问 
●自动刷新和自刷新模式 
●时钟停止模式 
  - 时钟停止模式是由移动DDR支持的功能 
SDRAM。 
  - 保持在JEDEC的标准规定 
●初始化移动DDR SDRAM 
  - 发生在器件上电时或设备中断 
功率 
●包装 
  - H5MS2562JFR:60球FBGA,铅,无卤素 
●本产品符合该指令 
有关RoHS指令的。
型号/规格

H5MS2562NFR-E3M

品牌/商标

HYNIX