H27U1G8F2BFR-BC原装进口H27U1G8F2BFR-BC，规格书H27U1G8F2BFR-BC PDF

特色汇总
密度
- 的4Gbit：4096blocks
NAND闪存接口
- NAND接口
- 地址/数据复
电源电压
- VCC =3.0/1.8V伏核心电源电压程序，
擦除和读取操作。
记忆电池阵列
- X8：（2K+64）字节×64页×4096块
- X16：（1K+32）字×64页×2048块
PAGE SIZE
- X8：（2048+64备用）字节
- X16：（1024+32spare）字
块大小
- X8：（128K+4K备用）字节
- X16：（64K+2 K备用）词
页读/编程
- 随机存取：25us的（最大）
- Sequentiall接入：为25ns/为45ns（3.0V/1.8V，分钟）。
- 节目时间（3.0V/1.8V）：200US/250US（典型值）
- 多页编程时间（2页）：
200US/250US（3.0V/1.8V，典型值）。
块擦除/多块擦除
- 块擦除时间：3.5毫秒（典型值）
- 多块擦除时间（2块）：
3.5ms/3.5ms（3.0V/1.8V，典型值）。
SEQURITY
- OTP区域
- Sreial号（唯一的ID）
- 对于OTP和的Block0（选配）非易失性保护选项
- 在禁用硬件编程/擦除
权力转移
ADDTIONAL特点
- 多平面架构
：阵列被分成两个独立的平面。
上两个平面平行作业情况下，有
编程和擦除时间。
- 单路和多平面复制回程序自动
EDC（错误检测代码）
- 单路和多平面页面重新编程
- 单路和多平面缓存程序
- 缓存读取
- 多平面块擦除
可靠性
- 100,000编程/擦除周期（与1位/528Byte的ECC）
- 10年的数据保存
ONFI1.0标准命令集
ELECTRONICAL签名
- Munufacture编号：ADH
- 设备ID
包装
- 铅/无卤
- TSOP4812×

型号/规格

H27U1G8F2BFR-BC

品牌/商标

HYNIX

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