KP1061N KP1062N KP1063N非隔离印度版高PF LED驱动芯片

KP1061NSPA

KP1062NSPA 

KP1063NSPA

KP1062NDP

KP1063NDP

产品描述

KP106XN 内部集成有高压650V功率 MOSFET和高压启动以及供电电路,简化了系统的设计和生产成本。

同时芯片优化设计了抗浪涌能力，可以a更优成本承受25Kv浪涌等级。芯片通过对全周期电感电流进行采样，

可以获得超高精度的恒流输出，且输出的线电压和负载调整率表现优异。。

周期电流限制(OCP)、过热保护(OTP)、输出过压保护(OVP)、LED开路和短路保护等。

主要特点
有源功率因数校正技术
高压输入功率因数>0.9，THD<15%
分次谐波满足IEC61000-3-2ClassC

集成高压启动和供电电路

集成高压650V MOSFET
准谐振模式高效率工作

士1%恒流精度超低工作电流
优异的线电压和负载调整率

内部保护功能:

输出过压保护(OVP)

逐周期电流限制(OCP)

前沿消隐(LEB)
LED开路和短路保护

过热保护(OTP)
封装类型SOP-7和DIP-7
典型应用
LED 球泡灯、天花灯 

LED T5/T8灯管