晶体管 SI2301CDS-T1-GE3

品牌 Vishay 
型号SI2301CDS-T1-GE3
描述 MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求
信息
数据列表 SI2301CDS;
标准包装   3,000
包装   标准卷带  
零件状态 有源
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列 TrenchFET®
其它名称 SI2301CDS-T1-GE3TR 
SI2301CDST1GE3 


规格
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.1A（Tc）
驱动电压（ Rds On， Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 112 毫欧 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 10nC @ 4.5V
Vgs（值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 405pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（值） 860mW（Ta），1.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

SI2301CDS-T1-GE3    SI2301CDS-T1-GE3