图文详情
产品属性
相关推荐
Siemens Semiconductors 在 1999 年 4 月 1 日更名为 Infineon Technologies。 这是一家充满活力和动力的公司,在微电子领域颇有建树。
Infineon 是的设计商、制造商和供应商,提供广泛的适用于各种微电子应用的半导体产品。 Infineon 的产品组合由逻辑产品组成,包括数字、混合信号和模拟集成电路以及分立半导体产品。
制造商 Infineon Technologies
制造商零件编号 IRFB3607PBF
描述 MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB
对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级 (MSL) 1(无限)
原厂标准交货期 26 周
详细描述 通孔 N 沟道 pval(2068) 80A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB
一般信息
数据列表 IRF(B,S,SL)3607PBF;
标准包装 1,000
包装 管件
零件状态 在售
类别 分立半导体产品
产品族 晶体管 - FET,MOSFET - 单
系列 HEXFET®
规格
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 75V
电流
- 连续漏极(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
驱动电压( Rds On, Rds On) 10V
不同
Id,Vgs 时的 Rds On(值) 9 毫欧
@ 46A,10V
不同
Id 时的 Vgs(th)(值) 4V @ 100μA
不同
Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(值) 84nC @ 10V
Vgs(值) ±20V
不同
Vds 时的输入电容(Ciss)(值) 3070pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散(值) 140W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
文档
其它有关文件 Part Number Guide
PCN 封装 Barcode Label Update 24/Feb/2017
Mult Device
Standard Label Chg 29/Sep/2017
Package Drawing
Update 19/Aug/2015
Packing Material
Update 16/Sep/2016
PCN 组件/产地 Mosfet Backend Wafer
Processing 23/Oct/2013
Qualification Wafer
Source 14/Mar/2014
TO220/247 Fab Site
Transfer 19/May/2016
图像和媒体
产品相片 TO-220AB PKG
产品培训模块 High Voltage Integrated
Circuits (HVIC Gate Drivers)
特色产品 Data Processing Systems
IRFB3607PBF
INFINEON(英飞凌)
TO-220-3
20+
1000