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W77E532A 8位微控制器 (8-BIT MICROCONTROLLER)
1.概述
该W77E532A是一个快速8051兼容微控制器无需重新设计处理器内核浪费了时钟和存储周期。其结果是,在执行每8051指令比快8051为同一晶体的速度。通常, W77E532A的指令执行时间为1.5以快3倍,然后与传统8051 ,这取决于指令的类型。在一般情况下,该整体性能比原来更好为相同的结晶速度的2.5倍左右。给用较低的时钟速度相同的吞吐量,功耗得到了提高。因此,该W77E532A是一个完全静态CMOS设计;它也可以在较低的时钟频率下运行。该W77E532A包含在系统可编程( ISP) 128 KB银行寻址的Flash EPROM ; 4KB辅助的Flash EPROM用于存储装载程序; 4.5V至5.5V的工作电压;片上1 KB MOVXSRAM ; 3省电模式。
2.特点
8位CMOS微控制器
4个时钟周期的高速架构/机器周期运行到40 MHz的引脚与标准80C52兼容
指令集兼容MCS- 51
4个8位I / O端口; P0口具有通过软件使能内部上拉电阻
一个附加的4位I / O端口,芯片选择和等待状态控制信号(在44引脚PLCC / QFP提供包)
3个16位定时器
12个中断了两个级别的优先级源
片内振荡器和时钟电路
两个增强型全双工串行口
双64KB系统内可编程Flash EPROM银行( APFlash0和APFlash1 )
4KB辅助闪存EPROM用于存储装载程序( LDFlash中)
64字节的非易失性存储器的关键日期的存储。
256字节暂存RAM
1 KB的片上SRAM用于MOVX指令
可编程看门狗定时器
软件复位
双16位数据指针
软件可编程存取周期对外部RAM /外设
包:
−无铅( RoHS)的DIP 40 :W77E532A40DL
−无铅( RoHS)的PLCC 44 : W77E532A40PL
−无铅( RoHS)的QFP 44 : W77E532A40FL
W77E532A 8位微控制器 (8-BIT MICROCONTROLLER)
1.概述
该W77E532A是一个快速8051兼容微控制器无需重新设计处理器内核浪费了时钟和存储周期。其结果是,在执行每8051指令比快8051为同一晶体的速度。通常, W77E532A的指令执行时间为1.5以快3倍,然后与传统8051 ,这取决于指令的类型。在一般情况下,该整体性能比原来更好为相同的结晶速度的2.5倍左右。给用较低的时钟速度相同的吞吐量,功耗得到了提高。因此,该W77E532A是一个完全静态CMOS设计;它也可以在较低的时钟频率下运行。该W77E532A包含在系统可编程( ISP) 128 KB银行寻址的Flash EPROM ; 4KB辅助的Flash EPROM用于存储装载程序; 4.5V至5.5V的工作电压;片上1 KB MOVXSRAM ; 3省电模式。
2.特点
8位CMOS微控制器
4个时钟周期的高速架构/机器周期运行到40 MHz的引脚与标准80C52兼容
指令集兼容MCS- 51
4个8位I / O端口; P0口具有通过软件使能内部上拉电阻
一个附加的4位I / O端口,芯片选择和等待状态控制信号(在44引脚PLCC / QFP提供包)
3个16位定时器
12个中断了两个级别的优先级源
片内振荡器和时钟电路
两个增强型全双工串行口
双64KB系统内可编程Flash EPROM银行( APFlash0和APFlash1 )
4KB辅助闪存EPROM用于存储装载程序( LDFlash中)
64字节的非易失性存储器的关键日期的存储。
256字节暂存RAM
1 KB的片上SRAM用于MOVX指令
可编程看门狗定时器
软件复位
双16位数据指针
软件可编程存取周期对外部RAM /外设
包:
−无铅( RoHS)的DIP 40 :W77E532A40DL
−无铅( RoHS)的PLCC 44 : W77E532A40PL
−无铅( RoHS)的QFP 44 : W77E532A40FL
W77E532A W77E532A W77E532A W77E532A W77E532A W77E532A
W77E532A
WINBOND
DIP-40
19+
10000