DDR2、DDR3 和 DDR3L 内存功耗解决方案同步降压控制器TPS51916

该TPS51916提供总成本和最小的空间，DDR2，DDR3和DDR3L内存系统提供完整的电源。

它集成了一个同步降压型稳压器（VDDQ）用2-A汇/源跟踪LDO（VTT）和缓冲低噪声基准（VTTREF）。

该TPS51916采用加上300千赫/ 400 kHz的频率为便于使用，加上较高的为500 kHz / 670 kHz的频率快速

瞬态响应或D-CAP2™模式，支持陶瓷输出电容，无需外部补偿的D-CAP™模式电路。

该VTTREF跟踪优秀0.8％的精度以内VDDQ / 2。

该VTT，它提供了2-A汇/源的峰值电流的能力，要求陶瓷电容仅为10μF。此外，专用的LDO供给输入可用。

该TPS51916提供了丰富的实用功能以及出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3和放电VDDQ，

VTT和VTTREF（软关机）在S4 / S5状态放置VTT高-Z。可编程OCL与低侧MOSFET的RDS（on）传感，

OVP / UVP / UVLO和热关断保护，也可提供。

该TPS51916采用20引脚可为3mm×3毫米，QFN封装，被指定为环境温度为-40°C至85°C。

特性


同步降压控制器（VDDQ）
转换的电压范围：3 V至28 V
输出电压范围：0.7 V至1.8 V
0.8％VREF准确度
实现快速瞬态可选择的控制ArchitectureD-CAP把响应模式，CAP2模式陶瓷输出电容器
可选择300千赫/400千赫/ 500千赫/ 670 kHz的开关频率
在光效率优化和重载荷与自动跳过功能
支持S4/ S5状态软关机
OCL/ OVP/ UVP/ UVLO保护功能
电源良好输出
2-A LDO（VTT），缓冲基准（VTTREF）
2-A（峰值）库和源电流
需要陶瓷输出电容的只有10μF
缓冲，低噪声，10毫安输出VTTREF
0.8％VTTREF，20 mV的VTT精度
支持High-Z的S3和软关在S4/ S5
热关断
20引脚为3mm×3毫米，QFN封装