供应 SI7913DN-T1-GE3 MOSFET Dual P-Ch 20V 37mohm @ 4.5V

 制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
商标:Vishay Semiconductors
Id-连续漏极电流:5 A
Vds-漏源极击穿电压:- 20 V
Rds On-漏源导通电阻:37 mOhms
晶体管极性:P-Channel
Vgs-栅源极击穿电压 :8 V
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:1.3 W
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8
封装:Reel
通道模式:Enhancement
配置:Dual
下降时间:70 ns
最小工作温度:- 55 C
上升时间:70 ns
工厂包装数量:3000
典型关闭延迟时间:72 ns

零件号别名:SI7913DN-GE3 

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