PM25RLB120 IPM封装三菱模块

特征
a）采用新的第五代IGBT（CSTBT）芯片，通过精密的规范加工，该芯片性能有1μm的提升。
例如，典型的Vce（SAT）=1.9V@ TJ =125°C
B）我采用过温保护由TJ检测CSTBT芯片和错误输出有可能来自IPM的各个保护的上臂和下臂。
C）制动部分的额定电流增加。
  60％用于额定电流逆变器部分。
  •25A，1200V电流检测IGBT型逆变器
 •15A，1200V电流检测再生制动IGBT
 •单片栅极驱动和保护逻辑
 •短期探测，保护和状态指示电路用于短路，过温＆欠压（P-FO可用于上臂设备）
 •应用于原声噪声低、3.7kW的逆变器

 •UL认证：黄色卡号：E80276（N）文件号：E80271

应用：

一般的变频器，伺服驱动器和其它马达

FEATURE

a) Adopting new 5th generation IGBT (CSTBT) chip, which
performance is improved by 1μm fine rule process.
For example, typical Vce(sat)=1.9V @Tj=125°C
b) I adopt the over-temperature conservation by Tj detection of
CSTBT chip, and error output is possible from all each conservation
upper and lower arm of IPM.
c) Current rating of brake part increased.
60% for the current rating of inverter part.
• 3φ 25A, 1200V Current-sense IGBT type inverter
• 15A, 1200V Current-sense regenerative brake IGBT
• Monolithic gate drive & protection logic
• Detection, protection & status indication circuits for, shortcircuit,
over-temperature & under-voltage (P-Fo available
from upper arm devices)
• Acoustic noise-less 3.7kW class inverter application
• UL Recognized Yellow Card No.E80276(N)
File No.E80271