供W29C040P-90BZ

W29C040是4兆，5伏的CMOS只段落组织模式的EEPROM 512K×8bits.the装置可写（擦除和编程）系统与一个标准的5V电源。12伏特VPP是不需要。该W29C040结果以独特的单元架构快速写（擦除/编程）与极低的电流消耗的操作相比，其他类似的5伏的闪存产品。该设备还可以写（擦除和编程）通过使用标准的EPROM编程器。

单5伏的写（擦除和编程操作

Fast page-write operations-256 bytes per page

快速页每页operations-256字节写

-Page write(erase/program)cycle time:19.5uS

页写（擦除/编程）周期时间：19.5us

-optional software-protected data write

可选的软件保护的数据写入

Fast chip-erase operation:50 mS

快速的芯片擦除操作：50毫秒

tWO 16 KB  boot blocks with lockout

两个16 kb启动块锁定

Typical page write (erase/program)cycles:1K/10K(typ.)

典型的页面写（擦除/编程）周期：1K / 10kΩ（典型值。

Read access time:90/120 nS

读取时间：90 / 120 ns

Ten-year data retention

十年的数据保留