供应低消耗、功率 MOS管 SSC8P20AN2

描述：

SC8P20AN2结合N沟道增强

高功率产生的MOSFET功率MOSFET

密度和介质功率PNP晶体管。微小的

薄的外形节省了PCB的消耗。

PNP低VCESAT组合小突破

信号晶体管和N沟道沟道MOSFET。

设备安装在无引线中功率DFN2x2中。

表面安装器件（SMD）塑料封装。

低集电极发射极饱和电压VCESAT

高集电极电流能力I和I Ccm

高I Fe C的高集电极电流增益（H）

由于较少的热量产生的高能量效率

小型印刷电路板（PCB）

面积比传统转炉

负载开关

电源管理

电源开关（如电机、风扇）

充电电路

电池驱动装置