TLP521-1GB 原装东芝有直插DIP-4贴片SOP-4
地区：广东 深圳
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产品属性
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TLP521-1GB 是东芝经典的晶体管输出光耦，采用 4引脚 DIP（双列直插）封装。其内部由砷化镓（GaAs）红外发光二极管与 NPN 光电晶体管光耦合组成。后缀 GB 表示 CTR ≥ 100% 的高传输比等级。
| 项目 | 描述 |
|---|---|
| 封装形式 | DIP-4（塑料双列直插） |
| 引脚数 | 4 |
| 安装方式 | 通孔插件（Through Hole） |
| 外形尺寸 | 约 6.4mm × 4.58mm，高度 4.36mm |
| 典型重量 | 0.26g |
| 引脚 | 功能 |
|---|---|
| 1 | 阳极（Anode） |
| 2 | 阴极（Cathode） |
| 3 | 发射极（Emitter） |
| 4 | 集电极（Collector） |
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 通道数 | 1 |
| 输入类型 | DC（直流输入） |
| 输出类型 | 光电三极管 |
| 隔离电压 | 2500 Vrms（值） |
| 集电极-发射极电压（Vceo） | 55 V（值） |
| 输出电流 | 50 mA |
| 正向压降（Vf） | 1.15 V（典型值） |
| 电流传输比（CTR） | GB 等级：100% ~ 600%（IF=5mA, VCE=5V） |
| 集射极饱和压降（Vce(sat)） | 0.4 V（值） |
| 上升时间（tr） | 2 μs（典型值） |
| 下降时间（tf） | 3 μs（典型值） |
| 工作温度范围 | -55°C ~ +100°C |
| 存储温度范围 | -55°C ~ +125°C |
| 参数 | 额定值 |
|---|---|
| 正向电流（IF） | 70 mA |
| 脉冲正向电流（IFP） | 1 A（100μs脉冲, 100pps） |
| 反向电压（VR） | 5 V |
| 集电极功耗（PC） | 150 mW |
| 总封装功耗（PT） | 250 mW |
TLP521-1GB 的 SOP封装版本（即 SOP-4）是同一款光耦的表面贴装形态，内部电路结构与 DIP 版本完全一致，同样由 GaAs 红外发光二极管与 NPN 光电晶体管组成，GB 等级同样保证 CTR ≥ 100%。
| 项目 | 描述 |
|---|---|
| 封装形式 | SOP-4（小外形封装） |
| 引脚数 | 4 |
| 安装方式 | 表面贴装（SMD） |
| 爬电距离 | ≥ 3.2mm |
SOP 封装专为 自动化贴片生产 而设计，适合高密度 PCB 布局。
与 DIP 版本一致：
| 引脚 | 功能 |
|---|---|
| 1 | 阳极（Anode） |
| 2 | 阴极（Cathode） |
| 3 | 发射极（Emitter） |
| 4 | 集电极（Collector） |
| 参数 | 数值 |
|---|---|
| 通道数 | 1 |
| 输入类型 | DC |
| 输出类型 | 光电三极管 |
| 隔离电压 | 东芝原厂标称 2500 Vrms；实测可达 5kVrms |
| 集电极-发射极电压（Vceo） | 55 V（值） |
| 输出电流 | 50 mA |
| 正向压降（Vf） | 1.15 V（典型值） |
| 电流传输比（CTR） | GB 等级：100% ~ 600%（IF=5mA, VCE=5V） |
| 集射极饱和压降（Vce(sat)） | 0.4 V（值） |
| 上升时间（tr） | 2 ~ 4 μs |
| 下降时间（tf） | 3 μs |
| 工作温度范围 | DIP 版：-55°C ~ +100°C；SOP 版部分型号：-30°C ~ +100°C |
GB 是东芝 TLP521 系列中的 CTR 分选等级，在 IF=5mA、VCE=5V 条件下：
| 等级 | CTR 范围 |
|---|---|
| 标准（A） | 50% ~ 600% |
| GB | 100% ~ 600% |
| GR | 100% ~ 300% |
| BL | 200% ~ 600% |
| Y | 50% ~ 150% |
GB 等级相比标准等级的下限从 50% 提升至 100%，在低驱动电流下仍能保证可靠的信号传输，适合对传输效率有较高要求的应用场景。
TLP521-1GB
东芝
DIP-4/SOP-4
24+
