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24C04-SI特点:
在/ R*ET输出是一个简单的开漏的N -沟道MOS场效应管的结构。上拉电阻,*须用来拉此输出电压*一些。对于大多数应用程序,这将是相同的电压电源供应物资的VCC的24C04 - SI的。但是它有可能为配合这个电阻其他一些电压。这将使24C04 - SI到一个电压,同时监测水平,转移/ R*ET输出到其他电压。上拉电压*须限制至6.0V或以下(*对*大值),以避免损坏24C04 - SI的。该电阻器*须*小,电源电流的输入和泄漏是由/ R*ET输出驱动的路径。
24C04-SI(*对)*大额定值:
注1:*对*大额度值*过这个限度损坏设备可能会出现。工作额度表明条件是该设备的功能,但不*特定的性能界限。特定的测试条件下,*电气特性的具体性能*限状态DC和AC电气规范。这假定该设备在工作额度。规格不*在没有给出参数的限制,但是,典型值是设备性能的一个很好的体现。
存储器
ATMEL/爱特梅尔
24C04
SOP/DIP/TSSOP
10+
*
现货
双*型
数字信号
大规模
-40~85
半导体集成