IRF6691TR1 分立半导体产品 晶体管

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Ta），180A（Tc）
驱动电压（Rds On，Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
1.8 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
71 nC @ 4.5 V
Vgs
±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
6580 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散
2.8W（Ta），89W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DIRECTFET™ MT
封装/外壳
DirectFET™ 等容 MT

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