IRG4IBC20UDPBF 分立半导体产品 晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
零件状态
停产
IGBT 类型
-
电压 - 集射极击穿
600 V
电流 - 集电极 (Ic)
11.4 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
52 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)
2.1V @ 15V,6.5A
功率
34 W
开关能量
160μJ(开),130μJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
27 nC
25°C 时 Td(开/关)值
39ns/93ns
测试条件
480V,6.5A,50 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr)
37 ns
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220AB 整包

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)IRG4IBC20UDPBF
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVIRG4IBC20UDPBF
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)IRG4IBC20UDPBF
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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型号/规格

IRG4IBC20UDPBF

品牌/商标

IR

封装

TO-220F

批号

11+

包装方式

卷带编带包装