SI7884BDP-T1-E3 分立半导体产品 晶体管

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FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
58A（Tc）
驱动电压（Rds On，Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
7.5 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
77 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
3540 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散
4.6W（Ta），46W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SI7884

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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