PHKD6N02LT 分立半导体产品 晶体管

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带（TR）
零件状态
停产
FET 类型
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻
20 毫欧 @ 3A，5V
不同 Id 时 Vgs(th)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
15.3nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
950pF @ 10V
功率
4.17W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO

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