SI4835BDY-T1-E3 分立半导体产品 晶体管

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.4A（Ta）
驱动电压（Rds On，Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
18 毫欧 @ 9.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
37 nC @ 5 V
Vgs
±25V
FET 功能
-
功率耗散
1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
SI4835

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