FDD120AN15A0 分立半导体产品 晶体管

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta），14A（Tc）
驱动电压（Rds On，Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
120 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
14.5 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
770 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散
65W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
FDD120

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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