IPW60R190E6 分立半导体产品 晶体管

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
零件状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A（Tc）
驱动电压（Rds On，Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
190 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
3.5V @ 630μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
63 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
1400 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散
151W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3-1
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW60R190

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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