SI2325DS-T1-E3 分立半导体产品 晶体管

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
530mA（Ta）
驱动电压（Rds On，Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
1.2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
12 nC @ 10 V
Vgs
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
510 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散
750mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
SI2325

公司还提供以下

品牌：村田 三星 国巨 风华 华新

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