IRLH5030TRPBF 分立半导体产品 晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
13A(Ta),100A(Tc)
驱动电压(Rds On,Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
9 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)
2.5V @ 150μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
94 nC @ 10 V
Vgs
±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
5185 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散
3.6W(Ta),156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
IRLH5030

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)IRLH5030TRPBF
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVIRLH5030TRPBF
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)IRLH5030TRPBF
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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型号/规格

IRLH5030TRPBF

品牌/商标

INFINEON/英飞凌

封装

PQFN8

批号

1915+

包装方式

卷带编带包装