A2T18S262W12NR3 分立半导体产品 晶体管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
制造商
NXP USA Inc.
系列
-
包装
卷带(TR)
零件状态
售卖
晶体管类型
LDMOS
频率
1.805GHz ~ 1.88GHz
增益
19.3dB
电压 - 测试
28 V
额定电流(安培)
10μA
噪声系数
-
电流 - 测试
1.6 A
功率 - 输出
231W
电压 - 额定
65 V
封装/外壳
OM-880X-2L2L
供应商器件封装
OM-880X-2L2L
基本产品编号
A2T18

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)A2T18S262W12NR3
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVA2T18S262W12NR3
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)A2T18S262W12NR3
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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型号/规格

A2T18S262W12NR3

品牌/商标

NXP/恩智浦

封装

SMD

批号

17+

包装方式

卷带编带包装