STD10NM50N 表面贴装型

地区:广东 深圳
认证:

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STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7A(Tc)
驱动电压(Rds On, Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
630 毫欧 @ 3.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
17 nC @ 10 V
Vgs
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
450 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散
70W(Tc)
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
STD10

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)STD10NM50N
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVSTD10NM50N
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)STD10NM50N
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

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型号/规格

STD10NM50N

品牌/商标

STM

封装

TO252

批号

12+

包装方式

盒带编带包装