FCPF165N65S3R0L 通孔 N 通道 650 V 19A

类别
分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商
onsemi
系列
SuperFET® III
包装
管件
零件状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Tc）
驱动电压（Rds On，Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻
165 毫欧 @ 9.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)
4.5V @ 1.9mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)
35 nC @ 10 V
Vgs
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)
1415 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散
35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F-3
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FCPF165

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