MMUN2233LT1G 晶体管 双极 表面贴装型

地区:广东 深圳
认证:

深圳市怡兴业电子科技有限公司

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类别
分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
卷带(TR)
类别
分立半导体产品
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
零件状态
在售
晶体管类型
NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)
100 mA
电压 - 集射极击穿
50 V
电阻器 - 基极 (R1)
4.7 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)
47 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)
80 @ 5mA,10V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降
250mV @ 300μA,10mA
电流 - 集电极截止
500nA
功率 
246 mW
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
SOT-23-3(TO-236)
基本产品编号
MMUN2233

公司还提供以下

封装: 0201(0603) 0402(1005) 0603(1608) 0805(2102) 1206(3216)
1210(3225) 1812(4532) 2220(5750)MMUN2233LT1G
电压:4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KVMMUN2233LT1G
精度:±0.05PF(A档) ±0.1PF(B档) ±0.25PF(C档) ±0.5%(D档)
±1%(F档) ±2%(G档) ±5%(J档) ±10%(K档)
±20%(M档) ±+80%-20%(Z档)MMUN2233LT1G
材质:COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌:村田 三星 国巨 风华 华新

温馨启示:电子元件是特殊产品,技术含量较高,由于本身可能存在着多种品牌,后辍与封装,所以可能导致参数与性能的差异,如有不慎,很有可能导致元件购买错误(此种失误,非质量问题一律不退换!),为了的解决您的问题,请您在购买我们元件前,将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们!拍下物品前请与我沟通产品价格,因格不稳定,实时单价请在线咨询,以便我们能准确的发货

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型号/规格

MMUN2233LT1G

品牌/商标

ON(安森美)

封装形式

SOT-23-3

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

盒带编带包装