STGF20H60DF IGBT 沟槽型场截止

类别
分立半导体产品
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
零件状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿
600 V
电流 - 集电极 (Ic)
40 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
80 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)
2V @ 15V，20A
功率 
37 W
开关能量
209μJ（开），261μJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
115 nC
25°C 时 Td（开/关）值
42.5ns/177ns
测试条件
400V，20A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
90 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3 整包
供应商器件封装
TO-220FP
基本产品编号
STGF20

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