高压整流硅堆YGL30A201G 二极管3A200KV

广州市格特电子有限公司是HVGT品牌在中国总销售成立的企业，HVGT商标也已经在中国商标局取得商标注册。 公司专门生产销售系列高品质塑封高压二极管，高压硅堆等高压整流器件。适用于微波炉，倍压电路，医疗器材，激光电源，负离子臭氧发生器，消毒电子，静电植绒，静电喷涂，高压发生器等领域。 公司拥有高效的管理团队，先进的生产设备，精准的高压检测仪器，方便的网上销售服务为客户提供高品质高压二极管，高压硅堆，高压整流器件。10多年高压领域的累积经验和诚信的营销成就格特人得到广大客户的信任与支持，业界氛围良好。格特人坚持秉承敬业高效，诚信待客，热情服务的企业理念与各界厂商合作。热线电话:4001838485。

YGL30A201G 简易参数表 ：

器件名称：高频玻璃钝化高压整流硅堆

器件型号： YGL30A201G

器件品牌：HVGT Semiconductor

反向重复峰值电压 VRRM（Ta=25℃）： 200KV

正向平均电流 IFAVM （Ta=55℃）： 3A

正向不重复浪涌电流 IFSM（Ta=25°C; 50Hz Half-Sine Wave;8.3mS）： 60A

正向峰值电压VFM（@ 25°C; @ IFAVM）： 300V

反向直流电流IR1（VR=VRRM  Ta=25℃）   ：5.0uA

反向直流电流IR2（VR=VRRM  Toil=100℃）：50.0uA

反向恢复时间 Trr：  100nS

工作温度 Tj：  -40~+150 ℃

存储温度 Tstg： -40~+175 ℃

PN结电容 Cj：     --

器件净重：       1510 克(约)

General Data of YGL30A201G : YGL30A201G

Device Name : Potting Type Glass Passivated HV Rectifier Subassembly

Device Type : YGL30A201G

Device Brand : HVGT Semiconductor

Repetitive Peak Renerse Voltag VRRM (TA = 25 ℃): 20 kV

Average Forward Current Maximum (TA = 55 ℃): 3A

 Non-Repetitive Forward Surge Current (TA = 25 ℃; 50 Hz half sine wave; 8.3 MS): 60A

Maximum Forward Voltage Drop (@ 25 ° C; @ ifavm): 300V

Maximum Reverse Current (VR = VRRM TA = 25 ℃): 5.0uA

Maximum Reverse Current (VR = VRRM, coil = 100 ℃): 50.0uA

Maximum Reverse Recovery Time: 100ns

Allowable Operation Case Temperature: - 40 ~ 150 ℃

Storage Temperature: - 40 ~ 175 ℃

Junction Capacitance: --

Net Weight: 1510 gram (approx)