HVGT高频高压硅堆HVR5510F08快速恢复二极管

广州市格特电子有限公司是HVGT品牌在中国总销售成立的企业，HVGT商标也已经在中国商标局取得商标注册。公司专门生产销售系列高品质塑封高压二极管，高压硅堆等高压整流器件。适用于微波炉，倍压电路，医疗器材，激光电源，负离子臭氧发生器，消毒电子，静电植绒，静电喷涂，高压发生器等领域。公司拥有高效的管理团队，先进的生产设备，精准的高压检测仪器，方便的网上销售服务为客户提供高品质高压二极管，高压硅堆，高压整流器件。10多年高压领域的累积经验和诚信的营销成就格特人得到广大客户的信任与支持，业界氛围良好。格特人坚持秉承敬业高效，诚信待客，热情服务的企业理念与各界厂商合作。

器件型号： HVR5510F08

器件品牌： HVGT Semiconductor

HVR5510F08 器件数据表

器件介绍:
器件名称	快速恢复高压整流硅堆
器件型号	HVR5510F08
简单参数	1.0A 8.0KV 100NS
代替型号	2CLG8KV/1A
环保标识	RoHS / SGS
生产品牌	HVGT 半导体
净重量	11.0 克(约)

额定值与特性（Max）：
项目	符号	条件	数据	单位
反向重复峰值电压	VRRM	TA=25°C	8.0	kV
反向不重复峰值电压	VRSM	TA=25°C	9.6	kV
正向平均电流	IFAVM	TA=40°C	1.0	A
正向平均电流	IFAVM	TOIL=55°C	1.5	A
正向不重复浪涌电流	IFSM	TA=25°C; 50Hz Half-Sine Wave; 8.3mS	20	A
器件结温	TJ		125	°C
工作温度	TC		-40~+125	°C
储存温度	TSTG		-40~+150	°C

电气特性： Ta=25°C （除非另有规定）
项目	符号	条件	数据	单位
正向峰值电压	VFM	at 25°C; at IFAVM	11.5	V
反向直流电流	IR1	at 25°C; at VRRM	2.0	uA
反向直流电流	IR2	at 100°C; at VRRM	50	uA
反向恢复时间	TRR	at 25°C; IF=0.5IR; IR=IFAVM; IRR=0.25IR	100	nS
P/N结电容量	CJ	at 25°C; VR=0V; f=1MHz	--	pF