供应AO4606 低内阻P+N沟道MOS管IC

AO4606采用先进的沟道技术MOSFET，提供优良的RDS（ON）和低栅电荷。互补mosfet可用于形成电平移位的高压侧开关，以及用于许多其它应用。

PD耗散功率：2W

ID漏源电流：6.9A

V(BR)DSS漏源击穿电压：30V

RDS(ON)Ω内阻：25MΩ

VRDS(ON)ld通态电流：6.9A

VRDS(ON)栅极电压：10V

VGS(th)V开启电压：1~3V

VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA

深圳市亿创微芯电子有限公司代理销售国内外多个品牌的集成电路芯片。公司与国内众多的厂商、方案 商、行业IC代理商均有合作，凭借旗下三大块产品：LDO产品、锂电池充电芯片、升压芯片，在同行业占 据了主要的市场份额。客户遍布中国，为消费者提供安全、高效、稳定、性价比好的芯片，使我们的宗 旨。亿创微芯已成为手机、MP4、MID、数码相机、蓝牙WIFI、LCD显示模组、LED、太阳能、便携电源、 充电器、开关电源等产品中芯片采购厂家。
公司常规产品
DC/DC升压芯片、同步整流升压芯片、同步整流降压芯片、LDO稳压芯片、锂电池充电芯片、锂电池保护 芯片、恒流芯片、LED驱动芯片、电压检测芯片、AC-DC转换原边控制芯片、AC-DC转换复边控制芯片、 AC-DC转换配套芯片、高压MOSFET、低压MOSFET等电源管理芯片等，这些产品广泛应用于信息家电、数码 电子、汽车电子、光伏产业、无线通信、数字通讯和网络技术等域。公司卓越的销售队伍、强有力的技 术支持，先进的生产供应管理体系，不断提供性价比好的产品，让客户满意。

AO4606采用先进的沟道技术MOSFET，提供优良的RDS（ON）和低栅电荷。互补mosfet可用于形成电平移位的高压侧开关，以及用于许多其它应用。

PD耗散功率：2W

ID漏源电流：6.9A

V(BR)DSS漏源击穿电压：30V

RDS(ON)Ω内阻：25MΩ

VRDS(ON)ld通态电流：6.9A

VRDS(ON)栅极电压：10V

VGS(th)V开启电压：1~3V

VGS(th)ld(μA)开启电流：250μA

 低内阻P+N沟道MOS管IC

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