供应KF3407 P沟道场效应管IC

地区:广东 深圳
认证:

深圳市亿创微芯电子有限公司

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FEATURES

Super high dense cell trench design for low RDS(on).

Rugged and reliable.

SOT-23-3L package

 

USB限流芯片
产品型号 工作电压 限制电流 静态电流 截止电流 内阻 封装
KF2015 2.4V-5.5V 1A 9μA <1μA 200mΩ SOT-23-5
KF2016 2.4V-5.5V 2.1A/1.5A/1A/0.65A 25μA <1μA 80mΩ SOT-23-5
KF2018 2.7V-5.5V 1.5A/2.1A/2.5A 30μA <1μA 52mΩ SOT-23-5
SOP-8
触摸芯片
产品型号 输入电压 输出电压 输出电流 静态功耗 封装
KF602 2.3~5.5V - - - SOP-8
SSOP-16
KF1015C/D 2.3~5.5V - - - SOT-23-6
KF1016 2.4~5.5V - - - SSOP-16
SOT-23-6
KF1017 2.4~5.5V - - 10μA SOP-8
DIP-8
SOT-23-6
KF6001 3~6V 4~6V 43~100mA 250μA SOP-8
场效应管-P沟道
产品型号 特点 VDS VGS ID(max) 导通电阻 封装
KF301 P-MOS管 -20V ±8V -2.8A 80mΩ SOT-23-3
KF3001 P-MOS管 -20V ±8V -2.8A 80mΩ SOT-23-3
KF3003 P-MOS管 -30V ±12V -4.2A 56mΩ SOT-23-3
KF3007 P-MOS管 -30V ±12V -4.1A 88mΩ SOT-23-3
KF3015 P-MOS管 -20V ±12V -4.2A 60mΩ SOT-23-3
KF3021 P-MOS管 -30V ±12V -4.2A 53mΩ SOT-23-3
KF3401 P-MOS管 -30V ±12V -4.2A 75mΩ SOT-23-3
KF3407 P-MOS管 -30V ±20V -4.2A 55mΩ SOT-23-3


 P沟道场效应管IC


 P沟道场效应管IC


 P沟道场效应管IC

型号/规格

KF3407

品牌/商标

KF

封装

SOT-23-3

批号

全新原装

VDS

-30V

VGS

±20V

ID(MAX)

-4.2A

导通电阻

55mΩ