供应KF3010 N沟道场效应管IC

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KF3010XG系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

KF3010XG系列适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

  特点

30V/5.8A: RDs(ON) =25mO@ Vas=10V, Ip-5.8A

  RDs(ON) =28mO2@ Vas-4.5V, Ip=5A

  Rs(oN)-37mO@ Vas =2.5V, Ip=4A

超大密度单元、极小的RDSION)

超小封装: SOT23

  应用

电池电源管理

高速开关

低功率DC/DC转换

深圳市亿创微芯电子有限公司代理销售国内外多个品牌的集成电路芯片。公司与国内众多的厂商、方案 商、行业IC代理商均有合作,凭借旗下三大块产品:LDO产品、锂电池充电芯片、升压芯片,在同行业占 据了主要的市场份额。客户遍布中国,为消费者提供安全、高效、稳定、性价比好的芯片,使我们的宗 旨。亿创微芯已成为手机、MP4、MID、数码相机、蓝牙WIFI、LCD显示模组、LED、太阳能、便携电源、 充电器、开关电源等产品中芯片采购厂家。
公司常规产品
DC/DC升压芯片、同步整流升压芯片、同步整流降压芯片、LDO稳压芯片、锂电池充电芯片、锂电池保护 芯片、恒流芯片、LED驱动芯片、电压检测芯片、AC-DC转换原边控制芯片、AC-DC转换复边控制芯片、 AC-DC转换配套芯片、高压MOSFET、低压MOSFET等电源管理芯片等,这些产品广泛应用于信息家电、数码 电子、汽车电子、光伏产业、无线通信、数字通讯和网络技术等域。公司卓越的销售队伍、强有力的技 术支持,先进的生产供应管理体系,不断提供性价比好的产品,让客户满意。

KF3010XG系列N沟道增强型功率场效应管(MOSFET),采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

KF3010XG系列适用于低压应用,例如移动电话,笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

  特点

30V/5.8A: RDs(ON) =25mO@ Vas=10V, Ip-5.8A

  RDs(ON) =28mO2@ Vas-4.5V, Ip=5A

  Rs(oN)-37mO@ Vas =2.5V, Ip=4A

超大密度单元、极小的RDSION)

超小封装: SOT23

  应用

电池电源管理

高速开关

低功率DC/DC转换





N沟道场效应管IC


N沟道场效应管IC


N沟道场效应管IC N沟道场效应管IC

型号/规格

KF3010

品牌/商标

KF

封装

SOT-23-3

批号

全新原装

VDS

30V

VGS

±12V

ID(MAX)

5.7A

导通电阻

26mΩ