供应KF302 N沟道增强型场效应管IC

KF302是N沟道增强型功率场效应管(MOSFET)，采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

它适用于低压应用,例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

  特点

20V/3.6A: Ros(oN) =65mQ@VGS=4.5V

20V/3.6A: Rps(ON) =100mQ@VGS=2.5V

  应用

笔记本电源管理

便携式设备

电池电源系统

DC/DC转换

负载开关

LCD显示适配器

KF302是N沟道增强型功率场效应管(MOSFET)，采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

它适用于低压应用,例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

  特点

20V/3.6A: Ros(oN) =65mQ@VGS=4.5V

20V/3.6A: Rps(ON) =100mQ@VGS=2.5V

  应用

笔记本电源管理

便携式设备

电池电源系统

DC/DC转换

负载开关

LCD显示适配器

KF302是N沟道增强型功率场效应管(MOSFET)，采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

它适用于低压应用,例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

  特点

20V/3.6A: Ros(oN) =65mQ@VGS=4.5V

20V/3.6A: Rps(ON) =100mQ@VGS=2.5V

  应用

笔记本电源管理

便携式设备

电池电源系统

DC/DC转换

负载开关

LCD显示适配器

KF302是N沟道增强型功率场效应管(MOSFET)，采用高单元密度的DMOS沟道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通电阻。

它适用于低压应用,例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。

  特点

20V/3.6A: Ros(oN) =65mQ@VGS=4.5V

20V/3.6A: Rps(ON) =100mQ@VGS=2.5V

  应用

笔记本电源管理

便携式设备

电池电源系统

DC/DC转换

负载开关

LCD显示适配器

 N沟道增强型场效应管IC

 N沟道增强型场效应管IC

 N沟道增强型场效应管IC  N沟道增强型场效应管IC