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产品属性
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LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器,制造使用NMOS技术。检测电压非常温度漂移小。NMOS输出配置可用。
高精度:±1%(-vdet=2.2V以上)
低功耗:典型值0.7uA(VIN=3.5 V,-vdet=2.0 V)
检测电压范围:1.0伏~6.5伏,以0.1伏为增量
工作电压范围:0.7V~7V
检测电压温度特性:
TYP±100ppm/
输出配置:NMOS
典型应用
微处理器复位电路
存储器电池备份电路
上电复位电路
电源故障检测
典型应用电路
封装:3针SOT23-3、SOT89-3、TO-92
LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器,制造使用NMOS技术。检测电压非常温度漂移小。NMOS输出配置可用。
高精度:±1%(-vdet=2.2V以上)
低功耗:典型值0.7uA(VIN=3.5 V,-vdet=2.0 V)
检测电压范围:1.0伏~6.5伏,以0.1伏为增量
工作电压范围:0.7V~7V
检测电压温度特性:
TYP±100ppm/
输出配置:NMOS
典型应用
微处理器复位电路
存储器电池备份电路
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电源故障检测
典型应用电路
封装:3针SOT23-3、SOT89-3、TO-92
LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器,制造使用NMOS技术。检测电压非常温度漂移小。NMOS输出配置可用。
高精度:±1%(-vdet=2.2V以上)
低功耗:典型值0.7uA(VIN=3.5 V,-vdet=2.0 V)
检测电压范围:1.0伏~6.5伏,以0.1伏为增量
工作电压范围:0.7V~7V
检测电压温度特性:
TYP±100ppm/
输出配置:NMOS
典型应用
微处理器复位电路
存储器电池备份电路
上电复位电路
电源故障检测
典型应用电路
封装:3针SOT23-3、SOT89-3、TO-92
LY60N系列高精度、低功耗消耗电压检测器,制造使用NMOS技术。检测电压非常温度漂移小。NMOS输出配置可用。
高精度:±1%(-vdet=2.2V以上)
低功耗:典型值0.7uA(VIN=3.5 V,-vdet=2.0 V)
检测电压范围:1.0伏~6.5伏,以0.1伏为增量
工作电压范围:0.7V~7V
检测电压温度特性:
TYP±100ppm/
输出配置:NMOS
典型应用
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封装:3针SOT23-3、SOT89-3、TO-92
电压检测IC
电压检测IC
电压检测IC 电压检测IC
LY60N
LY
SOT23-3 SOT89-3
全新原装
1.1-5V
0.7-7V
±1%
0.7μA