FGA25N120ANTD IGBT晶体管 场效应管 高压MOS管

制造商: Fairchild Semiconductor 
产品种类: IGBT 晶体管 
RoHS:  详细信息 
配置: Single 
集电*—发射**大电压 VCEO: 1200 V 
集电*—射*饱和电压: 2 V 
栅*/发射**大电压:  /- 20 V 
在25 C的连续集电*电流: 50 A 
栅*—射*漏泄电流:  /- 250 nA 
功率耗散: 312 W 
*大工作温度:  150 C 
封装 / 箱体: TO-*-3 
封装: Tube 
集电**大连续电流 Ic: 50 A 
*小工作温度: - 55 C 
安装风格: Through Hole 
系列: FGA 
工厂包装数量: 30 
*件号别名: FGA25N120ANTDTU_NL