场效应管IRFP250N 晶体管 MOS管

制造商: International Rectifier 
RoHS:  详细信息 
晶体管*性: N-Channel 
汲*/源*击穿电压: 200 V 
闸/源击穿电压:  /- 20 V 
漏*连续电流: 30 A 
Drain-Source On Resistance: 75 mOhms 
配置: Single 
*大工作温度:  175 C 
安装风格: Through Hole 
封装 / 箱体: TO-247AC 
封装: Tube 
下降时间: 33 ns 
Forward Transconductance - Min: 17 S 
栅*电荷 Qg: 82 nC 
*小工作温度: - 55 C 
功率耗散: 214 W 
上升时间: 43 ns 
工厂包装数量: 25 
典型关闭延迟时间: 41 ns"