场效应管 STD10NM60N

　　功率MOSFET的基本特性

　　1、静态特性MOSFET的转移特性和输出特性。

　　漏*电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs

　　MOSFET的漏*伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源*之间有寄生二*管，漏源*间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

　　2、动态特性MOSFET其测试电路和开关过程。

　　开通过程；开通延迟时间td（on） -Up前沿时刻到UGS=UT并开始出现iD的时刻间的时间段；上升时间tr- UGS从UT上升到MOSFET进入非饱和区的栅压UGSP的时间段；iD稳态值由漏*电源电压UE和漏*负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS*UGSP后，在up作用下继续升高直至*稳态，但iD已不变。开通时间ton-开通延迟时间与上升时间之和。

　　关断延迟时间td（off） -Up下降到*起，Cin通过RS和RG放电，UGS按指数曲线下降到UGSP时，iD开始减小为*的时间段。下降时间tf- UGS从UGSP继续下降起，iD减小，到UGS

　　3、MOSFET的开关速度

　　MOSFET的开关速度和Cin充放电有很大关系，使用者无法降低Cin，但可降低驱动电路内阻Rs减小时间常数，加快开关速度，MOSFET只靠多子导电，不存在少子储存效应，因而关断过程**，开关时间在10～100ns之间，工作频率可达100kHz以上，是主要电力电子器件中*高的。

场控器件静态时几乎不需输入电流。但在开关过程中需对输入电容充放电，仍需*的驱动功率。开关频率越高，所需要的驱动功率越大