开关电源芯片 SG3525AN SG3525AD SG3525AP013TR

    随着电能变换技术的发展，功率MOSFET在开关变换器中开始广泛使用。为此，美国硅通用半导体公司推出了SG3525，以用于驱动N沟道功率MOSFET。SG3525是一种性能优良、功能*和通用*的单片集成PWM控制芯片，它简单*及使用方便灵活，输出驱动为推拉输出形式，增加了驱动能力；内部含有欠压锁定电路、软启动控制电路、PWM锁存器，有过流保护功能，频率可调，同时能限制*大占空比。其性能特点如下：

　　1)工作电压范围宽： 8～35V。

　　2)内置5．1 V&plu*n;1．0％的基准电压源。

　　3)芯片内振荡器工作频率宽100Hz～400 kHz。

　　4)具有振荡器外部同步功能。

　　5)*区时间可调。为了适应驱动快速场效应管的需要，末级采用推拉式工作电路，使开关速度更陕，末级输出或吸入电流*大值可达400mA。

　　6)内设欠压锁定电路。当输入电压小于8V时芯片内部锁定，停止工作(基准源及*要电路除外)，使消耗电流降至小于2mA。

　　7)有软启动电路。比较器的反相输入端即软启动控制端芯片的引脚8，可外接软启动电容。该电容器内部的基准电压Uref由恒流源供电，*2．5V的时间为t=(2．5V／50μA)C，占空比由小到大(50％)变化。

　　8)内置PWM(脉宽调制)。锁存器将比较器送来的*的跳动和振荡信号消除。只有在下一个时钟周期才能重新置位，系统的*性高。