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场效应管 IRFB4227PBF

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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标准包装 50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 HEXFET®
包装 管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源*电压 (Vdss) 200V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 65A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 24 毫欧 @ 46A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 5V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 98nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 4600pF @ 25V
功率 - *大值 330W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
 
 
类型

其他IC

品牌/商标

IR

型号/规格

IRFB4227PBF

功率

11

用途

仪器

封装

TO220

批号

2013+