75W贴片N沟道MOS管NTD80N02原装On安森美场效应管TO-252

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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数据列表

NTD80N02

产品相片

TO-263

产品变化通告

Product Discontinuation 03/Apr/2007

标准包装

75

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 

系列

-

包装

管件

FET 类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

24V

电流 连续漏* (Id)25° C 时)

80A

不同 IdVgs 时的 Rds On(*大值)

5.8 毫欧 @ 80A10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(*大值)

3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

42nC @ 4.5V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

2600pF @ 20V

功率 *大值

75W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3DPak引线 接片),SC-63

供应商器件封装

D-Pak



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品牌/商标

ON/安森美

型号/规格

NTD80N02

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

批号

1127+

封装

TO-252-3