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场效应管 STQ1HNK60R SVD7N60T

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市福田区新亚洲电子市场二...

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标准包装 2,000
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 SuperM*H™
包装 带盒（TB）
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 400mA
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 8.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 10nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 156pF @ 25V
功率 - *大值 3W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引线
供应商器件封装 TO-92
 
 
类型

其他IC

品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STQ1HNK60R

功率

11

用途

仪器

封装

TO-92

批号

2013