场效应管 FQU1N60C FQPF2N60C

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产品属性
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标准包装 70
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
包装管件
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能标准
漏源*电压 (Vdss) 600V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 1A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 11.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 4V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 6.2nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 170pF @ 25V
功率 - *大值 2.5W
安装类型通孔
封装/外壳 TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

型号/规格

FQU2N60/FQU2N60C

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关