场效应MOS管 AO3407 AO3410 AO3409 AO3414

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标准包装 3,000
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 30V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 4.3A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 48 毫欧 @ 4.3A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 3V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 16nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 830pF @ 15V
功率 - *大值 1.4W
安装类型表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3

品牌/商标

AOS/美国万代

型号/规格

AO3407

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-FBM/全桥组件