场效应管 SI4484EY-T1-E3

标准包装 2,500
类别分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
包装带卷 (TR)
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能逻辑电平门
漏源*电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时） 4.8A
不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值） 34 毫欧 @ 6.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值） 2V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg) 30nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) -
功率 - *大值 1.8W
安装类型表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC N
"

类型

其他IC

品牌/商标

Vishay/威世通

型号/规格

SI4484EY-T1-E3

功率

11

用途

仪器

封装

SOP8

批号

2013