WNMD2196A兼顾性能与设计灵活性。该产品采用 CSP封装,更紧凑,方便电池应用布板设计。同时,优化的SOA特性,提高承受冲击电流的能力;超低RSS(ON),可实现更高的效率和更低的温升,提升了产品的可靠性。
WNMD2196A参数
WNM6008——80V高功率MOSFET,采用zui新一代Shield Gate技术,针对电信和服务器电源中使用的更高开关频率进行了优化,具备超低FOM值(开关应用重要优值系数)。WNM6008低开关和导通损耗,可实现更高效率、更优EMI性能。适用于同步整流应用,优化了反向恢复电荷从而实现更低的尖峰电压,提供zui高水平的功率密度和能效,继而为电源提供更高的效率和更强的可靠性。
WNM6008适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。可有效赋能太阳能、电源和电池供电(例如电动代步车)等应用。该产品符合RoHS环保标准,采用QFN5x6标准紧凑封装,在实现高功率密度的能量传输的同时,方便对市场上同类产品进行升级替换。
WNM6008参数
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