TrendForce记忆体储存研究(DRAMeXchange)研究显示,由於DRAM供货吃紧至今未有改善的迹象,因此延续2016下半年的价格涨势,2017年季DRAM平均销售单价呈大幅上涨格局,DDR3 4GB模组的合约价已超过25美元,季涨幅超过三成,为DRAM史上在传统淡季下仍能维持强势涨价的季度。
DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,根据现已成交的合约看来,2017年季标准型记忆体价格持续攀高,平均涨幅接近三成,伺服器记忆体的涨幅略同,R-DIMM 32GB模组已超过200美元大关,涨幅同样超过两成。行动式记忆体也因智慧型手机在中国新年铺货的需求带动下,不论是单颗颗粒(discrete product)或eMCP解决方案,价格都同样攀高,季涨幅估将超过一成。
行动式与伺服器用记忆体需求持续强劲,供货吃紧将可能持续整年
2016年起,由於中国品牌崛起带动智慧型手机需求旺盛,DRAM原厂陆续调降标准型记忆体产出,转作行动式记忆体。在供货减少下,DDR3 4GB均价一路攀升至今,连带让伺服器用记忆体价格也呈现大涨,甚至行动式记忆体在2017年季也有近15%的季涨幅,此外,绘图用记忆体与利基型记忆体也都雨露均沾,季涨幅至少超过一成。
展望2017年,各DRAM原厂资本支出较为保守,皆不倾向过分扩张产能,并以获利导向为主要经营策略。DRAMeXchange预估,2017年DRAM产业的供给端位元年成长率仅19%,远低於往年至少二成甚至超过三成的年成长率,在2017年DRAM需求端年成长超过22%情况下,供不应求的严峻程度可见一斑。
从市场面观察,由於2017年旗舰手机记忆体搭载量将上看8GB,加上中阶手机多迈向搭载4GB规格,因此行动式记忆体依然是DRAM产业需求成长最为强劲的类别,整体而言,2017年智慧型手机记忆体容量年成长将超过30%,超越一般笔电使用的记忆体规格。
此外,因各式云端服务兴起,伺服器用记忆体需求也显着成长。DRAMeXchange预估,2017年伺服器的平均记忆体容量将达130GB以上,其中,中国市场的强劲需求力道高於世界水平,亦驱使DRAM厂在2017年的产能分配下,皆计画将产能转往行动式记忆体与伺服器用记忆体,持续使部分的DRAM产品供货吃紧甚至发生缺货情形。现阶段DRAM厂多采取制程转进的方式满足客户需求,而不倾向增加产能,因此,2017年供货短缺的情况极有可能持续一整年度,有助於DRAM产业维持丰厚获利。
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