半导体特性

    掺杂性，热敏性，光敏性，负电阻率温度特性，整流特性。

　　★在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

　　★在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。 　　

     晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。　　共价键结构：相邻的两个原子的一对外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。　　自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。　　空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。　　电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。　　空穴电流：价电子按一定的方向依次填补空穴（即空穴也产生定向移动），形成空穴电流。　　本征半导体的电流：电子电流+空穴电流。自由电子和空穴所带电荷极性不同，它们运动方向相反。　　载流子：运载电荷的粒子称为载流子。关注生荣电子https://www.dzsc.com/product/infomation/112574/200928181123260.html

　　导体电的特点：

　　导体导电只有一种载流子，即自由电子导电。

　　本征半导体电的特点：

　　本征半导体有两种载流子，即自由电子和空穴均参与导电。　　本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。　　复合：自由电子在运动的过程中如果与空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。　　动态平衡：在一定的温度下，本征激发所产生的自由电子与空穴对，与复合的自由电子与空穴对数目相等，达到动态平衡。　　载流子的浓度与温度的关系：温度一定，本征半导体中载流子的浓度是一定的，并且自由电子与空穴的浓度相等。当温度升高时，热运动加剧，挣脱共价键束缚的自由电子增多，空穴也随之增多（即载流子的浓度升高），导电性能增强；当温度降低，则载流子的浓度降低，导电性能变差。