这些2.0mm x 1.6mm MicroFET功率开关的优势是能够提供出色的热性能和电气性能,它们的性能与3mm x 3mm SSOT-6封装的功率开关一样。对于便携式应用如手机、数码相机和游戏机等,在超紧凑的封装中提供的性能至关重要,因为更多的功能将要集成在越来越小的PCB空间中。这些应用并能够获益于开关保证在低至1.5V栅极驱动电压下运作的特性。
FDMJ1023P和FDFMJ2P023Z的主要特性包括:
-节省空间,因为这些MicroFET开关较采用SC-70封装的功率开关体积减小20%
-确保在低至1.5V栅极驱动电压下运作,能够满足便携式应用的电压要求
-出色的电气性能和热性能
- 160m @ VGS = -2.5V
- 热阻89 C/W
飞兆半导体提供业界为广泛并提升热性能的超紧凑低侧高器件,瞄准低功耗应用。这些易于实现及节省空间的高性能MOSFET适用于客户所有低电压开关和功率管理/电池充电设备中。
FDMJ1023PZ和FDFMJ2P023Z采用无铅 (Pb-free) 端子,潮湿敏感度符合IPC/JEDEC J-STD-020标准对无铅回流焊的要求。所有飞兆半导体产品均设计满足欧盟有害物质限用指令 (RoHS) 的要求。
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