JSM2101G是一款高压、高速功率MOSFET高低侧驱动芯片。具有独立的高侧和低侧参考输出通道。

JSM21010G采用高低压兼容工艺，使得高、低测栅驱动电路可以单芯片集成，逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。

JSM2101G其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET，浮地通道工作电压可高达600V。
JSM2101G采用SOP-8封装，可以在-40℃至125℃温度范围内工作。

应用范围：

电机控制

空调/洗衣机

通用逆变器

逆变器驱动

高速风筒芯片

性能参数介绍：

自举工作的浮地通道

芯片耐压可高达为+650V

兼容3.3V,5V和15V输入逻辑

dVs/dt耐受能力可达±50V/ns

Vs负偏压能力大-9V

集成VCC、VBS欠压锁定电路

VCC欠压锁定阈值8.7V/7.7V

VBS欠压锁定阈值8.2V/7.3V

芯片传输延时特性

开通/关断传输延时Ton/Toff=250ns/150ns

延迟匹配时间小于50ns

防止直通保护

死区时间130ns

宽温度范围-40°C~125C

输出级拉电流/灌电流能力0.6A/1A

符合RoSH标准

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